快速退火炉
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收费标准
机时登录后查看 -
设备型号
AS-One 150 -
当前状态
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管理员
何锦德 Jinde HE 020-88332915 -
放置地点
W3-621A
- 仪器信息
- 预约资源
- 附件下载
- 公告
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名称
快速退火炉
资产编号
BESTLab00021
型号
AS-One 150
规格
产地
厂家
所属品牌
ANNEALSYS
出产日期
购买日期
所属单位
超级能源科技主题实验室 Brilliant Energy Science and Technology Lab
使用性质
科研
所属分类
资产负责人
--
联系电话
020-88332915
联系邮箱
BESTLAB@hkust-gz.edu.cn
放置地点
W3-621A
- 主要规格&技术指标
主要规格&技术指标
1. 最大支持基片直径：不低于 150mm，向下可兼容 100mm 基片或碎片。
2. 加热系统：
2.1. 最高加热温度：室温到1100℃， 30s（6”硅片）。
2.2 升温速率：覆盖 1℃/s~80℃/s（6”硅片工艺）；覆盖 1℃/s~20℃/s（使用 6” SiC 托盘工艺）
2.3 温度重复性：≤±2℃ (800℃， 6”硅片）
3. 工艺气路： 1 路（N2 或者 Ar），配有 MFC 控制
4. 真空系统工艺条件：真空或惰性气氛或大气氛围下进行工艺。
5. 反应腔室本底真空 ：0.1 mbar（等于或低于）。
2. 加热系统：
2.1. 最高加热温度：室温到1100℃， 30s（6”硅片）。
2.2 升温速率：覆盖 1℃/s~80℃/s（6”硅片工艺）；覆盖 1℃/s~20℃/s（使用 6” SiC 托盘工艺）
2.3 温度重复性：≤±2℃ (800℃， 6”硅片）
3. 工艺气路： 1 路（N2 或者 Ar），配有 MFC 控制
4. 真空系统工艺条件：真空或惰性气氛或大气氛围下进行工艺。
5. 反应腔室本底真空 ：0.1 mbar（等于或低于）。
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