椭偏仪 Ellipsometer

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设备型号

J.A.Woollam RC2

当前状态

管理员

孙成军 Chengjun SUN

放置地点

W2-129
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名称

椭偏仪 Ellipsometer

资产编号

MC-MS-0004

型号

J.A.Woollam RC2

规格

193-1690nm

产地

美国

厂家

J.A.Woollam

所属品牌

J.A.Woollam

出产日期

购买日期

所属单位

材料表征与制备中央实验室 Materials Characterization and Preparation Facility (GZ)

使用性质

科研

所属分类

MCPF-分子结构分析 Molecular Structure Analysis

资产负责人

孙成军 Chengjun SUN

联系电话

联系邮箱

chengjunsun@hkust-gz.edu.cn

放置地点

W2-129
  • 主要规格&技术指标
  • 主要功能及特色
主要规格&技术指标
1.光谱范围193-1690nm;
2.自动变角基座:45-90°;
3.Z轴:自动移动,最大行程18mm,最小步长1um;
4.光斑尺寸:普通光斑4mm直径,微光斑300um直径;
5.测量参数包括:分光椭偏Ψ和Δ;透射及反射强度百分比;退偏振百分比;广义椭偏;穆勒矩阵;
6.全穆勒矩阵测量达到0.3秒;
7:测试准确性:Psi 45°±0.02°,Delta 0°±0.05°,Depolarization 0%±0.5%,15 normalized Muller-Matrix elements, Diagonal 1±0.002,Off-Diagonal 0±0.002.

1.Wide spectral range 193~1690nm;
2.Automatic angle-changing base:45-90°;
3.Z axis: automatic movement, maximum stroke 18mm, minimum step size 1um;
4.Spot size: normal spot 4mm in diameter, micro spot 300um in diameter;
5.Measurement parameters include: spectral ellipsometry Ψ and Δ; percentage of transmitted and reflected intensity; percentage of depolarization; generalized ellipsometry; Muller matrix;
6.Full Mueller matrix measurement up to 0.3 seconds;
7.test accuracy:Psi 45°±0.02°,Delta 0°±0.05°,Depolarization 0%±0.5%,15 normalized Muller-Matrix elements, Diagonal 1±0.002,Off-Diagonal 0±0.002.
主要功能及特色
1、宽的光谱范围,覆盖深紫外到近红外193-1690nm;
2、能够采集穆勒矩阵全部16个元;
3、配备聚焦件可测量微小样品;
4、测试准确性高,重复性好;
5、软件材料库全、色散模型多,功能齐全;
6、通过测量偏振光经过样品表面反射后偏振态的改变,基于光学模型的数据分析,可获得薄膜厚度和光学常数等参数; 7、自动样品台可实现Mapping功能

1、Wide spectral range covered wavelengths from the ultraviolet to the extended near infrared 193~1690nm;
2.the first commercial spectroscopic ellipsometer to collect all 16 elements of the Muller matrix ;
3. Small samples can be measured with focusing element;
4 superior data accuracy and high repeatability;
5.complete material library and dispersion models;
6.Ellipsometry uses polarized light to characterize thin film and bulk materials. a change in polarization is measured after reflecting light from the surface. Thin film thickness and optical constants are derived from the measurement; 7. Map thin film uniformity of wafers or glass pannels using the automatic sample stage.
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