多功能表面分析系统 Multi-Technique Surface Analysis System（XPS, AES, UPS, LEIPS）
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3/人使用者
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8/次机时次数
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1038/小时总时长
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185/次送样次数
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22/人收藏者
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收费标准
机时登录后显示送样详见检测项目 -
设备型号
PHI VersaProbe4 -
当前状态
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管理员
侯雨箫 Yuxiao HOU 020-88338480 -
放置地点
W2-142
- 仪器信息
- 预约资源
- 检测项目
- 附件下载
- 公告
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名称
多功能表面分析系统 Multi-Technique Surface Analysis System（XPS, AES, UPS, LEIPS）
资产编号
MC-SA-0002
型号
PHI VersaProbe4
规格
PHI VersaProbe4
产地
日本
厂家
ULVAC-PHI
所属品牌
ULVAC-PHI
出产日期
购买日期
所属单位
材料表征与制备中央实验室 Materials Characterization and Preparation Facility (GZ)
使用性质
科研
所属分类
MCPF-表面分析 Surface Analysis
资产负责人
侯雨箫 Yuxiao HOU
联系电话
020-88338480
联系邮箱
yuxiaohou@hkust-gz.edu.cn
放置地点
W2-142
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 样本检测注意事项
主要规格&技术指标
1.单色化X射线源系统（电子枪、阳极靶和单色器）。
2.能量分析器:对银的能量分辨率：≤0.48 eV at Ag3d5/2 (FWHM)
3.氩气离子枪能量：0 - 5 kV; GCIB 氩气团簇离子枪最大能量：20 kV
4.双束荷电中和系统对绝缘样品（PET）的能量分辨率。C1s光谱中C-C峰的计数率≥60,000 cps，O-C=O峰的FWHM≤0.85 eV
5.紫外光电子能谱系统（紫外光电子能谱系统）：室温下费米边缘宽度<100 meV（20%和80%）。
6.LEIPS（低能反光电子能谱系统）能量分辨率：滤光片：254nm+300nm（LP）（4.88eV）--室温下费米边宽度<0.45eV（20%和80%）。
7.SAM扫描俄歇能谱系统 （同时提供reels分析能力）。最大能量：10 kV，空间分辨率：≤100 nm
1.Monochromatic X-ray source system (electron gun, anode target and monochromator)
2.Energy Analyzer: Energy resolution on Ag: ≤ 0.48 eV at Ag3d5/2 (FWHM)
3.Argon Ion Gun Energy: 0 - 5 kV; GCIB argon cluster ion gun maximum energy: 20 kV
4.Energy resolution of Dual-Beam Charge Neutralization System for PET: count rate of C-C peaks in C1s spectra ≥ 60,000 cps, FWHM of O-C=O peaks ≤ 0.85 eV
5.LEIPS (Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy System): Fermi fringe width <100 meV at room temperature (20% and 80%)
6.LEIPS (Low Energy Inverse Photoelectron Spectroscopy System) energy resolution: filter: 254 nm + 300 nm (LP) (4.88 eV) - Fermi edge width < 0.45 meV at room temperature (20% and 80%)
7.SAM scanning OSCE system (also provides REELS analysis capability)Maximum energy: 10 kV, spatial resolution: ≤100 nm
2.能量分析器:对银的能量分辨率：≤0.48 eV at Ag3d5/2 (FWHM)
3.氩气离子枪能量：0 - 5 kV; GCIB 氩气团簇离子枪最大能量：20 kV
4.双束荷电中和系统对绝缘样品（PET）的能量分辨率。C1s光谱中C-C峰的计数率≥60,000 cps，O-C=O峰的FWHM≤0.85 eV
5.紫外光电子能谱系统（紫外光电子能谱系统）：室温下费米边缘宽度<100 meV（20%和80%）。
6.LEIPS（低能反光电子能谱系统）能量分辨率：滤光片：254nm+300nm（LP）（4.88eV）--室温下费米边宽度<0.45eV（20%和80%）。
7.SAM扫描俄歇能谱系统 （同时提供reels分析能力）。最大能量：10 kV，空间分辨率：≤100 nm
1.Monochromatic X-ray source system (electron gun, anode target and monochromator)
2.Energy Analyzer: Energy resolution on Ag: ≤ 0.48 eV at Ag3d5/2 (FWHM)
3.Argon Ion Gun Energy: 0 - 5 kV; GCIB argon cluster ion gun maximum energy: 20 kV
4.Energy resolution of Dual-Beam Charge Neutralization System for PET: count rate of C-C peaks in C1s spectra ≥ 60,000 cps, FWHM of O-C=O peaks ≤ 0.85 eV
5.LEIPS (Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy System): Fermi fringe width <100 meV at room temperature (20% and 80%)
6.LEIPS (Low Energy Inverse Photoelectron Spectroscopy System) energy resolution: filter: 254 nm + 300 nm (LP) (4.88 eV) - Fermi edge width < 0.45 meV at room temperature (20% and 80%)
7.SAM scanning OSCE system (also provides REELS analysis capability)Maximum energy: 10 kV, spatial resolution: ≤100 nm
主要功能及特色
1.X-ray聚焦束斑从小于10µm到400µm连续可调，通过扫描分析区域达1.4mm X 1.4mm，从而满足从微区（小于7.5微米）到大面积（毫米级）的分析需求；
2.独特的SXI成像, 适合固态电池材料的膜层结构分析、界面成分分布、不同微区成分的差异性分析等。采集速度1-5s每张图像。
3.配有一套独特的专利技术的双束荷电中和/补偿系统，其利用冷阴极电子流和氩离子溅射枪产生的极低能离子可以对所有类型的样品进行荷电中和。
4.20 kV Ar气团簇离子枪（GCIB）适用于电池材料的深度剖析
5.变角XPS分析，只适用于表面层非常薄（1～5nm）的自组装膜体系。通过改变光电子的接收角（倾斜样品台）而改变光电子的接收深度从而得到成分从表面到几个纳米深度的纵向分布。
6.原位XPS-UPS-IPES：可在同一真空条件下（分析腔室内）测试 XPS （表面成分）、UPS(价带谱和功函数)、IPES (导电谱) 对于半导体材料，有机光伏、OLED、光催化等有很好的应用。
1.Continuously adjustable X-ray focus beam spot is from less than 10µm to 400µm, by scanning the analysis area up to 1.4mm X 1.4mm, meeting the needs of analysis from micro-area (less than 7.5µm) to millimeter scale.
2.SXI imaging, suitable for analysis of film layer structure of solid-state battery materials, interfacial composition distribution, differential analysis of different micro-zone compositions, etc. Per image only takes 1-5s.
3.Dual-Beam Charge Neutralization/Compensation System that uses cold cathode electron flow and very low energy ions from an argon ion sputtering gun to charge neutralize all types of samples.
4.20 kV Ar GCIB for deep profiling of cell materials
5.Variable angle XPS analysis, only for self-assembled film systems with very thin surface layers (1-5 nm). The longitudinal distribution of the composition from the surface to several nanometers’ depth is obtained by changing the receiving angle of the photoelectrons (tilting the sample stage) and changing the receiving depth of the photoelectrons.
6.In-situ XPS-UPS-IPES: XPS (surface composition), UPS (valence band spectrum and power function), IPES (conductivity spectrum) can be tested under the same vacuum conditions (analysis chamber). Excellent for semiconductor materials, organic photovoltaics, OLED, photocatalysis, etc.
2.独特的SXI成像, 适合固态电池材料的膜层结构分析、界面成分分布、不同微区成分的差异性分析等。采集速度1-5s每张图像。
3.配有一套独特的专利技术的双束荷电中和/补偿系统，其利用冷阴极电子流和氩离子溅射枪产生的极低能离子可以对所有类型的样品进行荷电中和。
4.20 kV Ar气团簇离子枪（GCIB）适用于电池材料的深度剖析
5.变角XPS分析，只适用于表面层非常薄（1～5nm）的自组装膜体系。通过改变光电子的接收角（倾斜样品台）而改变光电子的接收深度从而得到成分从表面到几个纳米深度的纵向分布。
6.原位XPS-UPS-IPES：可在同一真空条件下（分析腔室内）测试 XPS （表面成分）、UPS(价带谱和功函数)、IPES (导电谱) 对于半导体材料，有机光伏、OLED、光催化等有很好的应用。
1.Continuously adjustable X-ray focus beam spot is from less than 10µm to 400µm, by scanning the analysis area up to 1.4mm X 1.4mm, meeting the needs of analysis from micro-area (less than 7.5µm) to millimeter scale.
2.SXI imaging, suitable for analysis of film layer structure of solid-state battery materials, interfacial composition distribution, differential analysis of different micro-zone compositions, etc. Per image only takes 1-5s.
3.Dual-Beam Charge Neutralization/Compensation System that uses cold cathode electron flow and very low energy ions from an argon ion sputtering gun to charge neutralize all types of samples.
4.20 kV Ar GCIB for deep profiling of cell materials
5.Variable angle XPS analysis, only for self-assembled film systems with very thin surface layers (1-5 nm). The longitudinal distribution of the composition from the surface to several nanometers’ depth is obtained by changing the receiving angle of the photoelectrons (tilting the sample stage) and changing the receiving depth of the photoelectrons.
6.In-situ XPS-UPS-IPES: XPS (surface composition), UPS (valence band spectrum and power function), IPES (conductivity spectrum) can be tested under the same vacuum conditions (analysis chamber). Excellent for semiconductor materials, organic photovoltaics, OLED, photocatalysis, etc.
样本检测注意事项
样品要求：样品尺寸长宽介于1~1.5cm之间，厚度小于0.5cm的薄片状样品。样品必须适用于真空环境，应当为固体或粉末，不含有毒、有害、挥发性、有腐蚀性及放射性物质，磁性样品送样前需要提前咨询。
主要附件：
1. X 射线光电子能谱（XPS）
2.俄歇电子能谱（AES）
3.低能反向光发射光谱学（LEIPS）
4.反射电子能量损失光谱学（REELS）
5.GCIB/Ar源，可以提供深度剖析分析
主要附件：
1. X 射线光电子能谱（XPS）
2.俄歇电子能谱（AES）
3.低能反向光发射光谱学（LEIPS）
4.反射电子能量损失光谱学（REELS）
5.GCIB/Ar源，可以提供深度剖析分析
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